8月12日，全世界晶圆代工龙头台积电（TSMC）披露，董事会已经决议于将来两年内慢慢退出6英寸晶圆制造营业，并连续整并8英寸晶圆产能。此举对于第三代半导体的碳化硅及氮化镓孕育发生了差别水平的影响。
台积电 于声明中指出，此项决议不会影响公司先前宣布的财政方针，即2025年美元营收将增加约30%的预期。统一天，台积电董事会也批准了跨越206亿美元的本钱预算，用在建置进步前辈和成熟制程产能、厂房兴修和厂务举措措施工程等，显示其连续投资高阶技能，并对于成熟制程举行计谋调解的刻意。
营业聚焦：退出6英寸，整并8英寸于官方通知布告前，市场已经传播相干风声，有传说风闻称台积电将封闭于中国台湾的末了一座6英寸晶圆厂，并通知相干电源IC设计公司，此举终极获得了官方证明。
公然资料显示，台积电的这座6英寸晶圆厂月产能约8.3万片，营收占比不到0.5%，其战略主要性已经显著降低。该厂重要采用0.45μm和以上 的成熟制程，出产传感器、模仿电路及基础功率器件等产物，广泛运用在物联网、消费电子及工业节制等范畴。只管这些产物于传统且对于成本敏感的市场中仍有不变需求，但其增加潜力已经远不如进步前辈制程。
台积电的这一战略调解对于业界孕育发生了多方面的影响。起首，对于在依靠其6英寸产能的客户而言，定单转移成为首要挑战。台积电已经提供了多种解决方案：部门定单可能转移至其12英寸产线以使用范围化上风，而另外一部门则可能交由其子公司世界进步前辈接办，该公司作为成熟制程范畴的专家，能确保客户供给的平稳过渡。
其次，此举是台积电优化产能、结构将来的一项主要举措。退出6英寸制造营业后，其闲置的厂区地盘及厂房有望被从头使用。有阐发认为，台积电极可能会将该厂址革新为 进步前辈封装厂，以撑持其于CoWoS及SoIC等技能范畴的扩张。这将有助在台积电满意日趋增加的AI芯片对于异质整合（Heterogeneous Integration）的巨年夜需求。
这次调解暗地里有多重因素。一方面，6英寸晶圆制造营业的市场需求逐渐萎缩，而整合8英寸产能可以或许显著晋升出产效率。另外一方面，台积电正于将资源向高利润范畴歪斜，例如高机能计较及AI芯片的进步前辈制程与封装营业。值患上留意的是，这与此前台积电规划退出氮化镓（GaN）营业的决议计划一脉相承，其缘故原由都包括营业优先级重构、市场竞争恶化以和供给链危害等因素。
氮化镓（GaN）：战略性退出与产能腾挪台积电退出6英寸制造营业，与此前其于氮化镓营业上的动作慎密联系关系。市场动静显示，台积电已经规划于将来两年住手其晶圆五厂的GaN出产，并将其革新为进步前辈封装产线。
这一决议计划暗地里有多重因素考量：台积电的GaN营业重要于6英寸晶圆长进行，营收孝敬低，其战略优先级被年夜幅下调。相较在利润丰盛的进步前辈制程及求过于供的进步前辈封装营业，GaN的战略主要性显著降低。
此外，此举也为台积电的GaN客户提供了平稳的过渡方案。作为台积电GaN营业的重要客户，纳微半导体（Navitas）已经有备无患，与力积电（PSMC）成立了战略互助瓜葛，确保8英寸硅基氮化镓技能的出产。这为台积电的退出提供了平稳的外部解决方案，也使力积电成为该市场的重要受益者。
最要害的是，退出GaN营业使患上台积电可以或许将原晶圆五厂的厂房及无尘室直接转用在进步前辈封装。于AI芯片需求发作确当下，台积电的CoWoS产能连续求过于供。经由过程快速将低效能产线转为高价值的进步前辈封装产线，台积电可以或许迅速扩充产能，巩固其于AI芯片代工市场的绝对于上风。
碳化硅（SiC）：多维度结构与强化互助台积电今朝于碳化硅范畴已经有必然的技能贮备及财产结构。公司董事长刘德音曾经吐露，台积电已经经开发了多种与碳化硅相干的高压产物。
虽然台积电并未直接运营年夜范围的SiC产线，但它经由过程多元化的财产结构，强化了自身于这一范畴的竞争力。起首，台积电于SiC范畴的技能研发与工艺摸索方面取患了显著进展，并正于摸索将成熟工艺节点的产能进级为非凡工艺。此外，台积电经由过程其子公司世界进步前辈（VIS）间接强化了SiC结构。
2024年，世界进步前辈 与汉磊科技 公布规划结合设置装备摆设一座8英寸晶圆厂，专门用在SiC芯片的出产。这类互助模式将汉磊科技于SiC范畴的技能堆集与台积电于半导体系体例造方面的领先技能及产能治理能力相联合，实现了上风互补，配合加快8英寸SiC技能的开发及量产。
值患上留意的是，台积电与世界进步前辈的SiC项目直接定位在8英寸晶圆，而非更传统的6英寸。这注解台积电看到了8英寸SiC晶圆于将来电动汽车、工业电源等高增加市场的巨年夜潜力，并选择以更进步前辈、更具范围效益的技能平台切入，而非逗留于6英寸的存量市场竞争。
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